半导体材料专家
中国工程院院士
中国科学院半导体所研究员梁骏吾
因病医治无效
于2022年6月23日在北京逝世
享年89岁
梁骏吾院士
1933年9月18日生于湖北武汉
1955年毕业于武汉大学物理专业
1956年至1960年就读于
前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所
并获得副博士学位
1997年当选中国工程院院士
他从事半导体材料
科学研究工作六十多年
是我国早期半导体硅材料的奠基人
上世纪60年代
解决了高纯区熔硅的关键技术
1964年制备出
室温激光器用GaAs液相外延材料
1979年研制成功
为大规模集成电路用的
无位错、无旋涡、低微缺陷
低碳、可控氧量的
优质硅区熔单晶
80年代首创了
掺氮中子嬗变硅单晶
解决了硅片的完整性和均匀性的问题
90年代初
研究MOCVD生长超晶格量子阱材料
在晶体完整性、电学性能
和超晶格结构控制方面
将中国超晶格量子阱材料
推进到实用水平
他还在太阳电池用多晶硅的
研究和产业化等方面
发挥着积极作用
梁骏吾院士
一生与半导体材料科研事业相伴
他曾在采访中说
希望通过自己的科研经历
带给年轻科研人员一些启发
让他们看到这份事业可以有所作为
让他们觉得自己同样能够作出成绩
斯人已逝
精神永驻
熠熠生辉的名字
值得我们永远铭记
痛别！
梁骏吾院士
一路走好！
来源：新华网微信综合光明日报、中科院半导体所
责编：苏鹏蕴
编审：黄泳文
值班主编：区云波
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